JEDEC의 차세대 모바일 메모리 LPDDR4와 Wide I/O 2 차세대 모바일 메모리가 보인다 모바일 기기에 맞춰 LPDDR4와 와이드 I/O 2라는 2종류의 차세대 DRAM 규격이 JEDEC(미국 전자공업회 EIA의 하부조직으로 반도체의 표준화 단체)에서 책정 중입니다. 앞으로 1~2년 동안 시장에 나올 LPDDR3와 와이드 I/O의 후속작입니다. 즉 앞으로 2세대 후의 메모리.. [메모리] 2013.06.07
SDIO(Secure Digital I/O)란 무엇인가? 1. SDIO? 우리가 흔히 쓰는 SD card 들을 위한 IO 이다.Secure Digital I/OSD Card 뿐만 아니라 기타 Embedded SDIO 장치들에도 사용된다.Embedded SDIO 에서 SD bus 와 SD Commands 로 이루어 진다.2. SDIO FeaturesCommon SDIO FeaturesTargeted for portable and stationary applications최소 혹은 수정이 없는 물리적 SD 버스가 요구됨최대 7.. [메모리] 2013.06.03
SD와 SHDC, 그리고 SDIO (SD vs SDHC, and SDIO) SD는 마츠시타, 토시바, San Disk등이 휴대용 장비에서 사용하기 위해 개발한 메모리 카드 포맷이다. 일반적으로 10~20MB/s 정도의 전송속도를 가지고 추후 MiniSD, MicroSD(또는 Transflash라고도 불린다) 타입이 발표되었다. 각각의 크기는 위의 그림과 같다. SD는 최대 4G까지 지원하고 파일 시스템으.. [메모리] 2013.06.03
DIMM(dual in-line memory module)이란 무엇인가? DIMM(dual in-line memory module, 듀얼 인라인 메모리 모듈)은 여러 개의 DRAM 칩을 회로 기판 위에 탑재한 메모리 모듈을 가리키며, 컴퓨터의 주기억 메모리로 쓰인다. 또, 그 핀 배치나 전기적 특성을 규정한 DIMM 규격을 가리킨다. 이전의 SIMM (싱글 인라인 메모리 모듈:Single Inline Memory Module)에 비해.. [메모리] 2013.04.24
SDRAM 파라메터 (CL, tRCD, tRP,tRAS, tRC,WL,tWR..) ■ CL (CAS Latency) - 메모리에 Column address 를 보내고 난 후 data 가 memory 의 out pin으로 출력되기 까지의 시간을 말한다. - Read Latency ■ tRCD (Row Address to Column Address Delay) - Row address 가 열리고 Column address 가 access 될때 까지의 clock cycle. ■ tRP (Row Precharge Time) - Precharge command 가 내려가고 그 다음 Row a.. [메모리] 2013.04.08
Memory(메모리)란 무엇인가? 메모리란 ? 컴퓨터정보공학과 권필재(1189004) 2011. 5. 16 목차 1. 메모리란? 2. FSB란 무엇인가? 3. 메모리에서 DDR과 DDR2, DDR3의 차이점은 무엇인가? 1. 메모리란? 메모리'라는 말은 기억장치라는 뜻을 가지고 있지요. 우리가 원하는 작업을 컴퓨터에서 처리하기 위해서는, 처리대상의 내용이나 또.. [메모리] 2013.02.27
NAND Flash / NOR flash 차이 낸드(NAND) 플래쉬 메모리란 플래쉬메모리의 한 형태입니다. 플래쉬메모리란 전원이 없는 상태에서도 메모리에 데이타가 계속 저장되어질 수 있는 메모리를 말합니다. 또한, 데이타의 저장/삭제가 자유롭죠. 이런 플래쉬메모리는 내부방식에 따라 노어(NOR)형과 낸드(NAND)형으로 나누는데, .. [메모리] 2013.01.11
NAND FLASH란? 구조는? Nand Flash는 비휘발성 메모리로 전원이 꺼져도 Data를 저장하기 위한 메모리입니다. 우리가 쓰는 휴대폰의 내장메모리,외장메모리,USB 메모리,SSD Hard disk 모두 Nand Flash를 사용합니다. Nand Flash는 크게 SLC(Single Level Cell) 와 MLC(Multi Level Cell)로 나눕니다. SLC는 하나의 Cell에 하나의 Level 즉 0 또는 1.. [메모리] 2013.01.04
Refresh 와 Pre-charge의 차이점 Refresh : DRAM의 Memory-cell(TR과 Capacitor의 조합구조)에서 커패시터에 전하가 채워져 있는 상황(논리 1의 상태)을 유지하고 있을때 leakage(누출)에 의하여 채워진 전하가 조금씩 소진되므로, 이를 보상하기 위하여 주기적으로 재충전 시키는 것. Pre-charge : refresh가 steady state(정상상태)일때의 전하 .. [메모리] 2012.08.27
3.DDR3 SDRAM의 동작원리 - RESET, 8bit PREFETCH 이제 DDR2의 시대는 무르익다 못해 완숙했으며 바야흐로 DDR3의 시대가 도래했다. 기존의 DDR1, DDR2와 비교하여 DDR3에 새로이 적용되는 기술을 살펴보고 정확히 이해하여 시스템을 설계할 수 있어야겠다. 1. DDR3 SDRAM에 적용된 새로운 기능 가. ZQ CALIBRATION 나. DYNAMIC ODT 다. RESET, 8bit PREFETCH 상기.. [메모리] 2012.08.27