Refresh 와 Pre-charge의 차이점

 

Refresh : DRAM의 Memory-cell(TR과 Capacitor의 조합구조)에서 커패시터에 전하가 채워져 있는 상황(논리 1의 상태)을 유지하고 있을때 leakage(누출)에 의하여 채워진 전하가 조금씩 소진되므로, 이를 보상하기 위하여 주기적으로 재충전 시키는 것.

 

Pre-charge : refresh가 steady state(정상상태)일때의 전하 방전을 보상하기 위한 주기적인 충전과정이라고 한다면, Pre-charge는 데이터 read시 감쇄되는 전하(이러한 현상이 있는 read operation을 destructive read라고 함)를 보상하기 위하여 read후 재충전하는 과정을 의미함.