2.DDR3 SDRAM의 동작원리 - DYNAMIC ODT

 

이제 DDR2의 시대는 무르익다 못해 완숙했으며 바야흐로 DDR3의 시대가 도래했다.
기존의 DDR1, DDR2와 비교하여 DDR3에 새로이 적용되는 기술을 살펴보고 정확히 이해하여 시스템을
설계할 수 있어야겠다.

1. DDR3 SDRAM에 적용된 새로운 기능
   가. ZQ CALIBRATION
   나. DYNAMIC ODT
   다. PREFETCH, /RESET, Reference VOLTAGE and ETC

상기의 function들에 대하여 하나씩 검토하기로 한다.

☞ DDR3 SDRAM의 동작원리 - ZQ CALIBRATION
☞ DDR3 SDRAM의 동작원리 - RESET, 8bit PREFETCH

혹시 DDR1, DDR2 SDRAM에 대해서 학습이 필요하신 분은 본 블로그의 다른 포스트들을 먼저
숙지하시고 이 포스트를 접하셨으면 한다.

2. DYNAMIC ODT의 개요
   ODT(On Die Termination)란 무엇인가에 대해선 이전의 DDR2 SDRAM관련 포스팅에서
   설명했으므로 그 부분은 생략하기로 한다.

   DDR3에서 데이터 버스의 속도는 더 증가했고 그래서 signal integrity는 더더욱 중요하게 되었다.
   한 시스템 안에 다수의 DRAM device가 있는경우 device를 READ할 때 보다 WRITE할 때 reflect되는
   noise도 더 많이 발생한다.
   그래서 DDR3는 DRAM device에 데이터를 WRITE하면서 termination impedance를 제어하는 것에대해
   고려하게 되었다.

3. DYNAMIC ODT의 설정
   - Mode register(MR1)에 의해 ODT기능이 enable되고 ODT pin이 high가 되면 ODT기능이 활성화 된다.
   - 3개의 Rtt에 의해서 termination 저항값이 enable/disable되고 value가 정해진다.
   - 다음 그림은 MR1 register이다.

 

   - x16 device의 경우 DQS, DQS#, DM, DQ들이 terminate되고 x8 device의 경우엔 TDQS까지 terminate
      된다.
   - DDR3에서 ODT는 다음의 2가지 모드가 있다.
      ① NORMAL MODE
          MR1 register의 Rtt_nom에 의해서 세팅되는 일반적인 ODT이다.
          Device의 standby상태와 WRITE상태에 적용된다.
      ② DYNAMIC MODE
          MR2 register의 Rtt_wr에 의해서 세팅되는 Dynamic ODT이다.
          Device에 writing하는 경우에만 적용된다.
   - 다음 그림들은 MR2 register를 보여준다.

 

4. DYNAMIC ODT의 동작
   - Rtt_nom과 Rtt_wr이 활성화 되어 있으면 DDR3 DRAM device가 wirte동작을 수행할 때
      termination value가 Rtt_nom의 값에서 Rtt_wr의 값으로 변경이 된다.
   - Device의 WRITE 동작이 끝나면 termination value는 Rtt_wr의 값에서 Rtt_nom의 값으로
      되돌아간다.
   - 이 일련의 동작들은 추가적인 MRS command의 수행없이 이뤄진다.
      그래서 data bus가 idle하게 되는 시간을 줄일 수 있고 bus scheduling이 향상되는 이점이있다.


[참고]
DDR3 Dynamic on-Die Termination
- MICRON

 

 

 

참조 : http://www.easytv.co.kr/115