3.DDR2 SDRAM의 동작원리 - OCD

 

 

 

 

 

 

 

DDR2 SDRAM에 새로이 적용된 기술들을 살펴보고 기존 DRAM들과의 차이점을 확인한다.

1.DDR2 SDRAM에 적용된 new function
  가. 4-bit PREFETCH
  나. ODT (ON DIE TERMINATION)
  다. OCD (OFF CHIP DRIVER)
  라. POSTED CAS AND ADDITIVE LATENCY

상기의 function들에 대하여 하나씩 검토하기로 한다.

☞ DDR2 SDRAM의 동작원리 - 4bit PREFETCH
☞ DDR2 SDRAM의 동작원리 - ODT
☞ DDR2 SDRAM의 동작원리 - POSTED CAS AND ADDITIVE LATENCY

2. OCD의 개요
  가. DRAM의 내부에 있는 출력측 driver의 임피던스를 조정하여 신호의 전압을 조정하는 것.
  나. 전압 조정을 통하여 출력 신호의 pull-up 저항값과 pull-down 저항값을 동일하게 만드는 것.

3. DQS와 /DQS의 drive 성능 관계
  가. DQS와 /DQS의 drive performance가 같다면 DQS의 중간 레벨과 /DQS의 중간 레벨이 교차하게   된다.
  나. DQS와 /DQS의 drive performance가 같지 않다면 아래의 그림처럼 DQS와 /DQS가 교차하는 지점이
       중간 레벨이 아니게 된다.

 

 

4. DQS와 /DQS의 valid data window
  가. DDR2에선 I/O data의 reference clock으로 DQS와 /DQS의 cross point를 사용한다.
  나. Memory controller는 DQS, /DQS의 reference clock에 동기된 DQ로 부터 data를 latch 한다.
  다. VREF 신호레벨을 기준으로 DQ의 high, low를 판별하게 된다. 
  라. DQS, /DQS의 drive performace가 서로 다를때 형성되는 window는 VREF와 DQ가 만드는  valid window보다 작게된다.
  마. DQ와 DQS간의 skew는 data가 latch되는 시간이 줄어드는 결과를 초래한다.

5. OCD의 기능
  가. OCD는 DRAM의 내부 output driver의 임피던스값을 조절할 수 있고 이는 DQ, DQS 그리고 /DQS의 전압을 조절하는 기능이다.
  나. DQS, /DQS간의 cross point가 있고 VREF와 DQ간의 cross point가 있는데 optimize를 통하여 

       이 cross point간의 skew를 최소화 하게 한다.
  다. 결과적으로 valid data window의 size는 최대가 되어 data를 latch하는 시간을 최대한으로 보장하게  된다.

6. OCD 세팅
  가. DRAM의 drive mode에서 임피던스 측정. (SSTL_18일 경우 18±3Ω)
  나. DRAM의 adjustment mode에서 임피던스 수정
  다. 적절한 임피던스가 될 때까지 상기 항목을 반복
  라. DDR2에서 임피던스값의 측정/비교하는 기능은 없기 때문에 외부 계측기가 필요하며 이 OCD
       세팅은 EMRS 레지스터를 통하여 가능하다.

[참고]
HOW TO USE DDR2 SDRAM
- ELPIDA -

DDR2 SDRAM TECHNOLOGY
-  ELPIDA -

 

참조 : http://www.easytv.co.kr/97