2.DDR2 SDRAM의 동작원리 - ODT

 

DDR2 SDRAM에 새로이 적용된 기술들을 살펴보고 기존 DRAM들과의 차이점을 확인한다.

1.DDR2 SDRAM에 적용된 new function
  가. 4-bit PREFETCH
  나. ODT (ON DIE TERMINATION)
  다. OCD (OFF CHIP DRIVER)
  라. POSTED CAS AND ADDITIVE LATENCY

상기의 function들에 대하여 하나씩 검토하기로 한다.

☞ DDR2 SDRAM의 동작원리 - 4bit PREFETCH
☞ DDR2 SDRAM의 동작원리 - OCD
☞ DDR2 SDRAM의 동작원리 - POSTED CAS AND ADDITIVE LATENCY

2. ODT
  가. SIGNAL REFLECTION
       전기적 신호가 전송선로를 따라서 진행하다가 선로의 끝에 부딫히면 신호가 반사되게 되며 이는
       noise가 되어서 선로의 신호품질을 떨어뜨리게 된다.
       이 신호의 reflection을 방지하기 위해 선로의 끝 부분에 적절한 값의 termination 저항을 사용하여
       임피던스를 맞춰줘야 했다.

  나. TERMINATION 저항
       전송 선로의 끝 부분에 termination 저항을 붙여서 임피던스를 맞추는 방법은 신호의 반사를
       막을 수 있었다.
       하지만 DDR2 SDRAM이 동작하는 아주 높은 주파수에선 더이상 적합한 방법이 아니다.
       아래의 그림처럼 DRAM2에 인가된 신호는 다시 DRAM1쪽으로 반사가되며 이는 DRAM1이
       실제로 원하는 신호에 영향을 주게 된다.

 

 

       DDR2 DRAM 시스템과 같이 고속의 시스템에 있어서 반사되는 신호성분에 대해 좀 더 정밀하게
       제어할 필요가 생겼고 그 기술이 ODT 이다.

  다. ODT
       ODT 기술은 DRAM 내부에 termination 저항을 넣어서 제어함으로써 전송선로의 임피던스를
       맞춰주는 기술이다.
       선로의 임피던스를 맞춰줌으로써 신호가 DRAM2에서 반사되어 나오지 못하도록 하는 것이다.
       ODT의 장점은 외부에 termination 저항을 다는것 보다 패턴들의 수를 줄일 수 있어서 패턴에 의한
       영향이 적다는 것이며 부품의 숫자가 줄어들어서 비용적, 면적면에서도 장점이 있다.      

       DRAM controller는 DQ, DQS, /DQS, RDQS 그리고 /RDQS 핀에 대하여 ODT를 설정 할 수 있으며
       on/OFF도 제어할 수 있다.
       ODT로 설정 가능한 저항값은 ∞, 50Ω, 75Ω, 150Ω 이 있으며 이 값들은 EMRS 레지스터를 통하여
       설정 할 수 있다.

  라. ODT의 구조

[참고]
HOW TO USE DDR2 SDRAM
- ELPIDA -

DDR2 SDRAM TECHNOLOGY
-  ELPIDA -

참조 : http://www.easytv.co.kr/93