Vcc, Vdd, Vee, Vss의 차이

위 네 가지의 차이를 알려면

 

TR과 FET의 차이부터 알아야한다.

 

둘 다 트랜지스터이지만

 

TR(Transistor)는 전류에 의한 제어에 사용되며, 

 

FET(Field Effect Transistor)는 트랜지스터의 일종이지만,

 

전압에 의한 채널의 제어를 이용하는 스위치이다.(전계 효과)

 

먼저, TR에 대해서 알아보면,

 

- 전류나 전압흐름을 조절하여 증폭이나 스위치 역활

 

위의 역활을 하려면 에너지 전달이 필요한데, 파워를 준다면

 

전압과 전류값이 같이 존재할 것이다.

 

하지만 두 값이 모두 변화하면 기준을 잡기 어려우므로 그 중 하나를 고정하고

 

전압이나 전류값을 변화시켜 스위치 정도를 결정하면 된다.

 

또한 TR은 CCCS : Current Control Current Source 방식인데,

 

제어 신호에 전류를 기준으로 가하면 출력 쪽에 전류소스 형태로 출력하는 것을 의미한다.

 

- BJT 기준

 

BJT는 전류로, 전류값에 의해 collector와 emitter 간의 전류가 결정되며,

 

전압은 신경쓰지 않는다.

 

하지만 항상 베이스에 전류를 흘려야 collector와 emitter 사이에 전류가 흐르므로

 

지속적인 전력 소비가 심하다.

 

- Vcc - collector 전원 Vee - emitter 전원과 관계가 있다.

 

이 반도체는 세 겹으로 접합하여 만든 전자회로 구성요소이다.

 

그 세 겹은 E(emitter) 에서 총 전류가 흐르고, B(base)가 전류흐름을 제어하며,

 

C(collector)가 증폭된 신호가 흐르는 장소이다.

 

대충 원리를 보면

 

이미터와 베이스 사이의 공핍층을 순방향 전압을 걸어주어

 

전위장벽이 낮아져 전자가 베이스로 넘어오게 된다.

 

그러면 그 전자들이 컬렉터쪽의 높은 + 전압에 의해 드리프트 전류현상을 보이며

 

끌려가게 된다.

 

또한 앞에서 TR은 BJT라고 했었는데

 

앞에 B는 바이폴라로 단극성이 아닌 쌍극성이다.

 

NPN,PNP 두 가지 형태로 나뉘어지는데 이것은,

 

N형은 전자가 다수 캐리어, P형은 정공이 다수 캐리어이어서

 

한 방향으로 움직일뿐, 각각 소수 캐리어도 반대방향으로 작용하고 있다.

 

FET에 대하여 알아보면

 

GATE에 의한 전압에 의해 드레인과 소스간 전류의 통과를 제어하는 것이다.

 

특징으론 게이트와 채널간에 절연체로 되어있기에,

 

게이트로 흘러 들어가는 전류가 거의 없어 에너지효율이 좋다.

 

이건 나중에 추가적으로 더 알아봐야겠다...(머리 과열,,,)

 

여기까지 그냥 관련된 내용들을 나열해본것이고

 

결론...

 

나누는 기준은

 

- C-MOS 계열 IC의 전원입력단 +측을 VDD라 하고, -측을 Vss

 

- TTL 계열의 IC에서는 +측을 VCC라 칭하고 -측을 GND라고 한다.

 

- TR의 경우는 Vcc,Vee로 구성되고, FET는 Vdd,Vss로 구성됨

[출처] Vcc Vdd Vee Vss 의 차이|작성자 파아란

[CORTEX STM32F103xE Chip]

 

다음의 Core을 보면 Vss, Vdd, Vcc, 심지어 다른 칩에는 Vee가지 있다.

V로 보아하니 Votage를 나타내는 것 같긴 한데...

도대체 cc, dd, cc, ee 요런건 뭘 의미하는 것일까...?

 

 

정답은 다음과 같다.

cc=collector (TTL-Transistor Transistor Logic)

dd=drain      (CMOS)

ee=emitter    (TTL과 Pair을 이룬다.)

ss=source   (CMOS와 Pair을 이룬다.)

 

 

[출처] Vcc Vdd Vee Vss란 무엇인가?|작성자 Benjamin